555芯片内部介绍与实战电路设计与讲解1

555集成电路开始是作定时器应用的，所以叫做555定时器或时基电路。但后来经过开发，它除了作定时延时控制外，还可用于调光、调温、调压、调速、做成双电源等多种控制及计量检测。此外，还可以组成脉冲振荡、单稳、双稳和脉冲调制电路，用于交流信号源、电源变换、频率变换、脉冲调制等。由于它工作可靠、使用方便、价格低廉，目前被广泛用于各种电子产品中，555集成电路内部有几十个元器件，有分压器、比较器、基本R-S触发器、放电管以及缓冲器等，电路比较复杂，是模拟电路和数字电路的混合体. 

NE555 芯片引脚功能

多谐振荡电路

NE555实战电路设计与讲解2

多谐振荡电路波形及讲解

R9、R13和C13组成了充放电回路。刚上电时，C13无电压，输出Uo4为高电平，放电端7PIN截止，电源经R9、R13对C13进行充电。当C13的电压Uc13电压达到2/3Vcc时，电路翻转Uo4为低电平，7pin导通接地，C13通过R13进行放电，放电至Uc13到1/3Vcc以下时，电路再次反转，Uo4又变为了高电平。如此周而复始形成振荡，输出方波。

1、刚上电时，C2无电压，输出3pin Uo为高电平，

第一路：Uo经过D2、R2,对电容C2进行充电。

   第二路：Uo经过C5、D4地回路，对C5充电，此时C5就形成负的电压。

2、当C2的电压达到2/3Vcc时，此时电路翻转Uo为低电平，

第一路：C2通过R3、D1，对Uo进行放电。

 第二条回路：VCC、D3、C4、Uo，对C4进行充电。此时C4就形成了正压，当C2电压到1/3Vcc以下时，电路再次反转，Uo又变为了高电平。如此周而复始形成振荡，Uo输出方波，C4两端形成了正压，C5两端形成了负压。

实战电路设计与讲解3

上图所示，RC组成的定时电路，常态的时候为稳态，Uo2输出0，LED灯不亮，7脚内部的三极管导通，即7pin输出0，C6开始放电，C6上无电压。

当Ui2输入一负触发信号Ui2（≤1/3Vcc），电路翻转为赞稳态，Uo2输出1，LED灯被点亮，7脚内部的三极管截至，即7pin输出为高组态，电源经R5对C6开始充电。

当C6上的电压达到Uc达到2/3Vcc时，电路再次翻转到稳态，脉宽Tw=1.1RC，见下面波形：

555定时器的操作可以通过调制内部阈值和触发电压来修改，即通过施加外部电压(或电流)来控制。上图显示了一个脉宽电路调制。连续输入脉冲序列触发单稳态电路，并由控制信号调制阈值电压。下图显示了输出脉宽调制的结果。同时为正弦波调制信号显示，任何波形都可以使用。

时钟输入必须有小于或大于1/3 VCC的V OL和V OH水平。调制输入能从地到VCC变化。应用必须是非线性传递函数的的关系，调制输入和脉冲宽度之间不是线性的，因为电容电荷是基于一个负RC指数曲线。

选择R 8和C12，使R 8 × C12 = 1/4[时钟输入周期]。R10输出上拉电阻改进了Voh，但TTL不需要R10兼容性。

   上图所示，RC组成的定时电路，常态的时候为稳态，Uo3输出0，5pin控制电压端和6pin重置锁定，5pin输入信号会改变U1（反相端设阈值）和U4（同相端设阈值）比较器的阈值，即5pin输入幅值越高U1比较器阈值越高，6pin实现翻转的电压幅值也会越高，C12两端的电压也越高，输出占空比就越大。同理U4同相端阈值1/2Ui3，2pin触发点与1/2Ui3，2pin触发点电位幅值高于1/2Ui3 U4输出0，相反输出1.

MOS和IGBT的区别讲解 1

MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。
MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

MOS晶体管种类与电路符号：有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。

关于寄生二极管的作用，有两种解释：

1、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDS过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
2、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。可以理解为电感提供续流回路
MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。

耗尽型和增强型

一、指代不同

1、耗尽型：即在栅极偏压时就能够导电的器件。

2、增强型：即在栅极偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。

二、特点不同

1、耗尽型：场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。

2、增强型：增强型的原始沟道较窄、掺杂浓度较低，使得在栅电压为0时沟道即被夹断，只有加上正栅偏压 时才产生沟道而导电；输出伏安特性仍然为饱和特性。

三、原理不同

1、耗尽型：当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。

2、增强型：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。

同相积分运算电路公式推导

基本积分与微分运算电路